Новосибирские ученые планируют перескочить технологический предел в 28 нанометров с помощью рентгеновского литографа. На конференции в НГУ представили проект «Орел-7» — создание специализированной рентгеновской станции на базе сибирского источника фотонов. Установка позволит формировать элементы микрочипов с помощью рентгеновского излучения, которое не ограничено дифракционным пределом, как традиционные методы.
Литография — важный этап производства микросхем: она определяет рисунок и размеры элементов на пластинах. Современная EUV-литография работает на длине волны 13,5 нанометра, но дальнейшее повышение разрешения упирается в физические ограничения. Рентгеновское излучение с длиной волны от 1 до 100 ангстрем позволяет обойти этот барьер и получать структуры с более высоким разрешением, причем дешевле и проще, чем сложные многоступенчатые процессы EUV.
Проект разрабатывают ученые Центра ИИ НГУ, Института физики полупроводников и Института вычислительной математики СО РАН. Опытный образец планируют создать на СКИФ, чтобы изучить физику процессов и отработать технологию.
Автор проекта Дмитрий Щеглов подчеркнул, что успех позволит российской микроэлектронике выйти далеко за предел 28 нанометров — это критический рубеж третьего технологического перехода. Проект уже заинтересовал научные центры Москвы, Новосибирска и Минска.
Фото: GigaChat
